창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRA130LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRA130LT3G, NRVBA130LT3G | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assebly/Test Site 18/Mar/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 410mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 30V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | SMA | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | MBRA130LT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRA130LT3G | |
| 관련 링크 | MBRA13, MBRA130LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N2993B | DIODE ZENER 43V 10W DO213AA | 1N2993B.pdf | |
![]() | MJ29R4FE-R52 | RES 29.4 OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ29R4FE-R52.pdf | |
![]() | 25C16W6 | 25C16W6 ST SOP-8 | 25C16W6.pdf | |
![]() | 3980800000 | 3980800000 WICKMANN SMD or Through Hole | 3980800000.pdf | |
![]() | D70F3233M2(A) | D70F3233M2(A) NEC QFP | D70F3233M2(A).pdf | |
![]() | RS8M-1300-J1 | RS8M-1300-J1 NA SMD | RS8M-1300-J1.pdf | |
![]() | UPC2801AGR-E1 | UPC2801AGR-E1 NEC SOP | UPC2801AGR-E1.pdf | |
![]() | NA19019C905 | NA19019C905 FUJITSU SOP | NA19019C905.pdf | |
![]() | K4S560832NJ-UC75 | K4S560832NJ-UC75 SAMSUNG Pb-free | K4S560832NJ-UC75.pdf | |
![]() | MCZ2525AD102T002 102-1210-4P | MCZ2525AD102T002 102-1210-4P TDK SMD or Through Hole | MCZ2525AD102T002 102-1210-4P.pdf | |
![]() | TLPGU1002 | TLPGU1002 TOSHIBA SMD or Through Hole | TLPGU1002.pdf | |
![]() | ATMXT1386XES-Z2U | ATMXT1386XES-Z2U AT QFN-64 | ATMXT1386XES-Z2U.pdf |