창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR6080R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR6045~60100R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | MBR6080RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR6080R | |
| 관련 링크 | MBR6, MBR6080R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CP000510K00KB143 | RES 10K OHM 5W 10% AXIAL | CP000510K00KB143.pdf | |
![]() | IDT92HD73E1X5PRGXB2X8 | IDT92HD73E1X5PRGXB2X8 IDT ORIGINAL | IDT92HD73E1X5PRGXB2X8.pdf | |
![]() | 1/2W 2.2UH | 1/2W 2.2UH LY SMD or Through Hole | 1/2W 2.2UH.pdf | |
![]() | 441330600 | 441330600 ORIGINAL SMD or Through Hole | 441330600.pdf | |
![]() | SFT72SN | SFT72SN TKK SMD or Through Hole | SFT72SN.pdf | |
![]() | IRF300 | IRF300 IR SSOP8 | IRF300.pdf | |
![]() | RC03F1000 | RC03F1000 SKYWELL SMD or Through Hole | RC03F1000.pdf | |
![]() | VLF3010AT-2R2 | VLF3010AT-2R2 ORIGINAL SMD or Through Hole | VLF3010AT-2R2.pdf | |
![]() | WL2010B | WL2010B ORIGINAL SMD or Through Hole | WL2010B.pdf | |
![]() | DNA1005 | DNA1005 HIT DIP16 | DNA1005.pdf | |
![]() | XC2VP40-6FGG676I | XC2VP40-6FGG676I XILINX SMD or Through Hole | XC2VP40-6FGG676I.pdf | |
![]() | SD115 K | SD115 K NEC DO35 | SD115 K.pdf |