창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR6045 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR6045~60100R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | MBR6045GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR6045 | |
| 관련 링크 | MBR6, MBR6045 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383210250JII2B0 | 1000pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP383210250JII2B0.pdf | |
![]() | MAX13208EALB+T | TVS DIODE 10UDFN | MAX13208EALB+T.pdf | |
![]() | SIT8208AI-31-28E-40.00000Y | OSC XO 2.8V 40MHZ OE | SIT8208AI-31-28E-40.00000Y.pdf | |
![]() | T330D276K035AS | T330D276K035AS Kemet SMD or Through Hole | T330D276K035AS.pdf | |
![]() | FR-S540-2.2K | FR-S540-2.2K MITSUBSHI SMD or Through Hole | FR-S540-2.2K.pdf | |
![]() | SAMP-80 | SAMP-80 ORIGINAL SMD or Through Hole | SAMP-80.pdf | |
![]() | HP32V331MRA | HP32V331MRA HITACHI DIP | HP32V331MRA.pdf | |
![]() | H5MS51620FRJ3M | H5MS51620FRJ3M HY SMD or Through Hole | H5MS51620FRJ3M.pdf | |
![]() | AM6TW-1212D-NZ | AM6TW-1212D-NZ MORNSUN SMD or Through Hole | AM6TW-1212D-NZ.pdf | |
![]() | MCP55P-N-A2 MCP55P-N-A3 | MCP55P-N-A2 MCP55P-N-A3 NVIDIA BGA | MCP55P-N-A2 MCP55P-N-A3.pdf | |
![]() | SCA600-CC4G1A | SCA600-CC4G1A VTI DIP-8 | SCA600-CC4G1A.pdf | |
![]() | MM54HC51J | MM54HC51J NS CDIP | MM54HC51J.pdf |