창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR6035PT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR6030-6045PT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 35V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR6035PT | |
| 관련 링크 | MBR60, MBR6035PT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F250X3CLT | 25MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X3CLT.pdf | |
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![]() | RT1206CRB07221RL | RES SMD 221 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07221RL.pdf | |
![]() | TCM4-1T-1 | TCM4-1T-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | TCM4-1T-1.pdf | |
![]() | AM82801IUX.QS46ES | AM82801IUX.QS46ES INTEL BGAPB | AM82801IUX.QS46ES.pdf | |
![]() | TLP421(GR-TP1 | TLP421(GR-TP1 Toshiba SOP-4 | TLP421(GR-TP1.pdf | |
![]() | IDTQS3VH245Q | IDTQS3VH245Q IDT SSOP20 | IDTQS3VH245Q.pdf | |
![]() | BL114-06RL-TAGF | BL114-06RL-TAGF SCG- SMD or Through Hole | BL114-06RL-TAGF.pdf | |
![]() | LE80537UE0092MSLV3W | LE80537UE0092MSLV3W INTEL SMD or Through Hole | LE80537UE0092MSLV3W.pdf | |
![]() | D75518GF | D75518GF NEC QFP | D75518GF.pdf |