창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60080CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60080CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60080CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60080CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 403C35D27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D27M00000.pdf | |
![]() | MCR18EZHF3570 | RES SMD 357 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF3570.pdf | |
![]() | DFNA4991BT1 | RES ARRAY 4 RES 4.99K OHM 8VDFN | DFNA4991BT1.pdf | |
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![]() | X9410WP | X9410WP XICOR DIP24 | X9410WP.pdf | |
![]() | FST-21.1A-7 | FST-21.1A-7 Tyco con | FST-21.1A-7.pdf | |
![]() | BAW156E1000 | BAW156E1000 infineo SOT-23 | BAW156E1000.pdf | |
![]() | MK2722 | MK2722 MK SMD or Through Hole | MK2722.pdf |