창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60060CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 30KPA144 | TVS DIODE 144VWM 234.36VC AXIAL | 30KPA144.pdf | |
![]() | TNPW2010309RBEEF | RES SMD 309 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010309RBEEF.pdf | |
![]() | CW01016K00KE12 | RES 16K OHM 13W 10% AXIAL | CW01016K00KE12.pdf | |
![]() | 102MG11 | Magnet Alnico 8 (AlNiCo) 0.311" Dia x 0.669" H (7.90mm x 17.0mm) | 102MG11.pdf | |
![]() | AT24C08N-SC27B | AT24C08N-SC27B ATMEL SOP8 | AT24C08N-SC27B.pdf | |
![]() | SFH601-5G | SFH601-5G Isocom SMD or Through Hole | SFH601-5G.pdf | |
![]() | LT1H67A | LT1H67A SHARP SMD or Through Hole | LT1H67A.pdf | |
![]() | REF5045AIDGK | REF5045AIDGK TI/BB MSOP8 | REF5045AIDGK.pdf | |
![]() | TLYM1100 | TLYM1100 TOSHIBA 1210 | TLYM1100.pdf | |
![]() | YSS938 | YSS938 YAMAHA QFP | YSS938.pdf | |
![]() | 1SV271(TG) | 1SV271(TG) ORIGINAL SMD or Through Hole | 1SV271(TG).pdf | |
![]() | CDP6305E3Q | CDP6305E3Q ORIGINAL PLCC | CDP6305E3Q.pdf |