창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60060CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1555C2D3R7BB01D | 3.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D3R7BB01D.pdf | |
![]() | MA-505 11.0592M-H0: ROHS | 11.0592MHz ±50ppm 수정 32pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 11.0592M-H0: ROHS.pdf | |
![]() | VS-25TTS08STRLPBF | SCR 800V 25A D2PAK | VS-25TTS08STRLPBF.pdf | |
![]() | LUG11D | LUG11D SUNLED ROHS | LUG11D.pdf | |
![]() | W24512AK15 | W24512AK15 Winbond DIP | W24512AK15.pdf | |
![]() | PN300 | PN300 PANASONIC DIP-2p | PN300.pdf | |
![]() | IRDC3838 | IRDC3838 IR Onlyoriginal | IRDC3838.pdf | |
![]() | MK1574-01SILFTR | MK1574-01SILFTR IDT 16 SOIC (GREEN) | MK1574-01SILFTR.pdf | |
![]() | 87CM40ANG-4A77 | 87CM40ANG-4A77 TOSHIBA DIP | 87CM40ANG-4A77.pdf | |
![]() | T2MC3V6 | T2MC3V6 VISHAY LL34 | T2MC3V6.pdf | |
![]() | 346D2GRL1 | 346D2GRL1 ISSI SOP-8 | 346D2GRL1.pdf | |
![]() | MAX3646ETG | MAX3646ETG MAXIM QFN | MAX3646ETG.pdf |