창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60045CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60045CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60045CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60045CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MVA16VE222ML17TR | 2200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 241 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | MVA16VE222ML17TR.pdf | |
![]() | 416F4801XAAR | 48MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4801XAAR.pdf | |
![]() | MBB02070C1742FCT00 | RES 17.4K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1742FCT00.pdf | |
![]() | 94-3640 | 94-3640 IR ORIGIANL | 94-3640.pdf | |
![]() | M51295SP | M51295SP MIT SMD or Through Hole | M51295SP.pdf | |
![]() | 1437306-5 | 1437306-5 Tyco con | 1437306-5.pdf | |
![]() | HM61162-70 | HM61162-70 SM DIP | HM61162-70.pdf | |
![]() | AD5684RARUZ | AD5684RARUZ AD SMD or Through Hole | AD5684RARUZ.pdf | |
![]() | HD74LS30RP-EL | HD74LS30RP-EL HITACHIP SOP | HD74LS30RP-EL.pdf | |
![]() | B9400// | B9400// ORIGINAL SMD or Through Hole | B9400//.pdf | |
![]() | P270-E12-55 00032/3 | P270-E12-55 00032/3 ORIGINAL SMD or Through Hole | P270-E12-55 00032/3.pdf | |
![]() | JQC-3FF-009-1ZS | JQC-3FF-009-1ZS HONGFA DIP | JQC-3FF-009-1ZS.pdf |