창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60045CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60045CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60045CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60045CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | H873R2BCA | RES 73.2 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H873R2BCA.pdf | |
![]() | QL3012-0PE144C | QL3012-0PE144C ORIGINAL SMD or Through Hole | QL3012-0PE144C.pdf | |
![]() | LMV393IPWRG4 | LMV393IPWRG4 TI TSSOP-8 | LMV393IPWRG4.pdf | |
![]() | 35V0.22UF-A | 35V0.22UF-A UNKNOW A | 35V0.22UF-A.pdf | |
![]() | LHI878/3920 | LHI878/3920 HEIMANN SMD or Through Hole | LHI878/3920.pdf | |
![]() | 302C(FS30X-E) | 302C(FS30X-E) ORIGINAL SMD or Through Hole | 302C(FS30X-E).pdf | |
![]() | T493X107M016CH | T493X107M016CH KEMET SMD or Through Hole | T493X107M016CH.pdf | |
![]() | MAFR-000492-000001 | MAFR-000492-000001 M/A-COM SMD or Through Hole | MAFR-000492-000001.pdf | |
![]() | P1168.684T | P1168.684T PULSE SMD or Through Hole | P1168.684T.pdf | |
![]() | XC9572-TQ100AM | XC9572-TQ100AM XILINX BGA | XC9572-TQ100AM.pdf | |
![]() | HSB1109D | HSB1109D ORIGINAL TO-92 | HSB1109D.pdf | |
![]() | ST72T774J9B1 | ST72T774J9B1 ORIGINAL DIP40 | ST72T774J9B1 .pdf |