창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60040CTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60040CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 40V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60040CTRL | |
| 관련 링크 | MBR6004, MBR60040CTRL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | L328 | L328 ORIGINAL SOT23-5 | L328.pdf | |
![]() | 93-21SUBC-S400-A4-TR | 93-21SUBC-S400-A4-TR EVERLIGHT ROHS | 93-21SUBC-S400-A4-TR.pdf | |
![]() | K3512-01S | K3512-01S FUJI T-pack | K3512-01S.pdf | |
![]() | MAX809JEUR+ | MAX809JEUR+ Maxim SMD or Through Hole | MAX809JEUR+.pdf | |
![]() | 74LS32DR2 | 74LS32DR2 MOT SOP | 74LS32DR2.pdf | |
![]() | 1N2066R | 1N2066R MSC STUD | 1N2066R.pdf | |
![]() | MI-6508-8 | MI-6508-8 H CDIP | MI-6508-8.pdf | |
![]() | 24LC256.I/SM | 24LC256.I/SM MICR SOP | 24LC256.I/SM.pdf | |
![]() | G13JHCF | G13JHCF ORIGINAL SMD or Through Hole | G13JHCF.pdf | |
![]() | DSM-501A | DSM-501A SYHITECH NA | DSM-501A.pdf | |
![]() | TS3N-RO | TS3N-RO NKKSwitches SMD or Through Hole | TS3N-RO.pdf |