창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60040CTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60040CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 40V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60040CTRL | |
| 관련 링크 | MBR6004, MBR60040CTRL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C2A9R3DA01J | 9.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A9R3DA01J.pdf | |
![]() | RCP2512B30R0JED | RES SMD 30 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B30R0JED.pdf | |
![]() | CF1/4C104J | CF1/4C104J KOA SMD or Through Hole | CF1/4C104J.pdf | |
![]() | K6R4004 | K6R4004 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R4004.pdf | |
![]() | NPIS22R820KTRF | NPIS22R820KTRF NIC SMD | NPIS22R820KTRF.pdf | |
![]() | 3SK186 / F1 | 3SK186 / F1 Hitachi Sot-143 | 3SK186 / F1.pdf | |
![]() | B57311V2151H060 | B57311V2151H060 EPCOS SMD or Through Hole | B57311V2151H060.pdf | |
![]() | 1SS349 TE85R SOT23-L9 | 1SS349 TE85R SOT23-L9 TOSHIBA SOT-23 | 1SS349 TE85R SOT23-L9.pdf | |
![]() | AME8550BEEVC240Z | AME8550BEEVC240Z AME SOT-25 | AME8550BEEVC240Z.pdf | |
![]() | UDH508R/883C | UDH508R/883C ORIGINAL CDIP | UDH508R/883C.pdf | |
![]() | MU9C1481L10DC | MU9C1481L10DC MUS PLCC | MU9C1481L10DC.pdf |