창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR60035CTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR60035CT(R)L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 35V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR60035CTL | |
관련 링크 | MBR600, MBR60035CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EV20-1.0-02-3M9 | 3.9mH @ 400Hz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 168 mOhm (Typ) | EV20-1.0-02-3M9.pdf | |
![]() | P61-750-A-A-I18-20MA-A | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P61-750-A-A-I18-20MA-A.pdf | |
![]() | 2455R2606580001 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455R2606580001.pdf | |
![]() | MAX9775EBX+TGA6 | MAX9775EBX+TGA6 MAXIM WLP | MAX9775EBX+TGA6.pdf | |
![]() | NREL331M50V16x16F | NREL331M50V16x16F NIC DIP | NREL331M50V16x16F.pdf | |
![]() | LM3940ISX-3.3+ | LM3940ISX-3.3+ NSC SMD or Through Hole | LM3940ISX-3.3+.pdf | |
![]() | QDFX-2500M-HN-A2 | QDFX-2500M-HN-A2 NVIDIA SMD or Through Hole | QDFX-2500M-HN-A2.pdf | |
![]() | AD694AQ 16L | AD694AQ 16L AD SMD or Through Hole | AD694AQ 16L.pdf | |
![]() | 96A1A-B28-A13L | 96A1A-B28-A13L bourns DIP | 96A1A-B28-A13L.pdf | |
![]() | S3225A-026000-FA-11-10A | S3225A-026000-FA-11-10A ORIGINAL SMD or Through Hole | S3225A-026000-FA-11-10A.pdf | |
![]() | SFH5140F3 | SFH5140F3 osram SMD or Through Hole | SFH5140F3.pdf | |
![]() | EL820114H02 | EL820114H02 ORIGINAL BGA | EL820114H02.pdf |