창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR60030CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR60030CTR | |
관련 링크 | MBR600, MBR60030CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
555166-1 | 555166-1 AMP ORIGINAL | 555166-1.pdf | ||
JRC387DA | JRC387DA JRC DIP-8 | JRC387DA.pdf | ||
9428 | 9428 ORIGINAL SOP8 | 9428.pdf | ||
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1210N103G101LG | 1210N103G101LG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210N103G101LG.pdf | ||
FJP13009L | FJP13009L FAIRCHILD SMD or Through Hole | FJP13009L.pdf | ||
COP472WMX-3 | COP472WMX-3 NSC SOP | COP472WMX-3.pdf | ||
CAP-WAAPMSC1 | CAP-WAAPMSC1 ALTWTechnology SMD or Through Hole | CAP-WAAPMSC1.pdf |