창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60030CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60030CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FESB8HTHE3/81 | DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB | FESB8HTHE3/81.pdf | |
![]() | PDTA143ET,215 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | PDTA143ET,215.pdf | |
![]() | 7353-V-RC | 5mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 500mA DCR 1 Ohm | 7353-V-RC.pdf | |
![]() | CAT25-562JALF | RES ARRAY 8 RES 5.6K OHM 1608 | CAT25-562JALF.pdf | |
![]() | SUCS1R50505C | SUCS1R50505C COSEL SMD or Through Hole | SUCS1R50505C.pdf | |
![]() | GW0DA00116 | GW0DA00116 ORIGINAL SMD or Through Hole | GW0DA00116.pdf | |
![]() | 74F757D | 74F757D PH SOP20 | 74F757D.pdf | |
![]() | A016107M0611BKC5 | A016107M0611BKC5 MAX SMD or Through Hole | A016107M0611BKC5.pdf | |
![]() | LQH32MN100K | LQH32MN100K MURATA SMD or Through Hole | LQH32MN100K.pdf | |
![]() | K4N56163QG-ZC33 | K4N56163QG-ZC33 SAMSUNG BGA84 | K4N56163QG-ZC33.pdf | |
![]() | DL641-5 | DL641-5 DATATRONIC DIP-8 | DL641-5.pdf | |
![]() | ESME161LGB332MAC0M | ESME161LGB332MAC0M NIPPONCHEMI-COM DIP | ESME161LGB332MAC0M.pdf |