창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60030CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 30V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CTL | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60030CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | MKP383415140JKM2T0 | 0.15µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.827" W (31.00mm x 21.00mm) | MKP383415140JKM2T0.pdf | |
|  | NX8045GB-8.000M-STD-CSF-4 | 8MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX8045GB-8.000M-STD-CSF-4.pdf | |
|  | G6SU-2G DC12 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6SU-2G DC12.pdf | |
|  | CRCW0201402RFKED | RES SMD 402 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201402RFKED.pdf | |
|  | 02291333-000 | MODULE LVDT CONDITIONING DINRAIL | 02291333-000.pdf | |
|  | B57540G234F | NTC Thermistor 230k Bead, Glass | B57540G234F.pdf | |
|  | CA251-A1.MT2 | CA251-A1.MT2 BOSTA TSOP | CA251-A1.MT2.pdf | |
|  | PDE016-A | PDE016-A PIONEER DIP | PDE016-A.pdf | |
|  | SIP2X08139B | SIP2X08139B BERG SMD or Through Hole | SIP2X08139B.pdf | |
|  | T3444D | T3444D TOSHIBA SMD or Through Hole | T3444D.pdf | |
|  | FA7100 | FA7100 ORIGINAL DIP | FA7100.pdf | |
|  | 0165#300A | 0165#300A LEM SMD or Through Hole | 0165#300A.pdf |