창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60030CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CT | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LP080F23CET | 80MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP080F23CET.pdf | |
![]() | ASTMHTD-20.000MHZ-XJ-E | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-20.000MHZ-XJ-E.pdf | |
![]() | 4606X-102-471LF | RES ARRAY 3 RES 470 OHM 6SIP | 4606X-102-471LF.pdf | |
![]() | C1828 | C1828 MIT/NEC SIP-8P | C1828.pdf | |
![]() | TZA1046TN | TZA1046TN PHILIPS QFN | TZA1046TN.pdf | |
![]() | RLZTE-1116A | RLZTE-1116A Rohm SMD or Through Hole | RLZTE-1116A.pdf | |
![]() | TEESVD1V156MAS12R35V15UFD | TEESVD1V156MAS12R35V15UFD NEC D | TEESVD1V156MAS12R35V15UFD.pdf | |
![]() | 2SK3482 | 2SK3482 NEC TO-252 | 2SK3482.pdf | |
![]() | TC7S14FU(TE85L | TC7S14FU(TE85L ORIGINAL SMD or Through Hole | TC7S14FU(TE85L.pdf | |
![]() | C3225X7R1A106K | C3225X7R1A106K TDK SMD | C3225X7R1A106K.pdf | |
![]() | RTM880N-796-GR | RTM880N-796-GR TOP QFN | RTM880N-796-GR.pdf | |
![]() | AD9637BCPZ-40 | AD9637BCPZ-40 ADI SMD or Through Hole | AD9637BCPZ-40.pdf |