창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60030CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CT | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HSZ151KAQBRBKR | 150pF 500V 세라믹 커패시터 Y5T 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | HSZ151KAQBRBKR.pdf | |
![]() | LD055A102GAB2A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD055A102GAB2A.pdf | |
![]() | VJ0805D1R1DLBAC | 1.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R1DLBAC.pdf | |
![]() | 561R1DF0D33 | 3300pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N2800 방사형, 디스크 0.531" Dia(13.50mm) | 561R1DF0D33.pdf | |
![]() | PEP01-5841 | THYRISTOR 24A 8SOIC | PEP01-5841.pdf | |
![]() | CT6ES103 | 10k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | CT6ES103.pdf | |
![]() | SIL3132ECTU128 | SIL3132ECTU128 SILICON TQFP | SIL3132ECTU128.pdf | |
![]() | 0805B821K500NT | 0805B821K500NT YAGEO SMD or Through Hole | 0805B821K500NT.pdf | |
![]() | P32P4910ABE3 | P32P4910ABE3 PHI SQFP100 | P32P4910ABE3.pdf | |
![]() | MC10645 | MC10645 MOT PLCC | MC10645.pdf | |
![]() | G4A-1A-5V | G4A-1A-5V OMRON DIP | G4A-1A-5V.pdf | |
![]() | H3Y-2AC200-2301S | H3Y-2AC200-2301S OMRON SMD or Through Hole | H3Y-2AC200-2301S.pdf |