창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR600150CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR600150CT thru MBR600200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR600150CT | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR600150CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CL21CR75BBANNNC | 0.75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21CR75BBANNNC.pdf | |
![]() | VS-1EFU06-M3/I | DIODE ULT FAST 1A 600V DO219AB | VS-1EFU06-M3/I.pdf | |
![]() | ERJ-S14F7872U | RES SMD 78.7K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F7872U.pdf | |
![]() | QMV901CF5 | QMV901CF5 ORIGINAL SMD or Through Hole | QMV901CF5.pdf | |
![]() | HCGW2W952Y | HCGW2W952Y ORIGINAL DIP | HCGW2W952Y.pdf | |
![]() | NP16CT | NP16CT CIE TO-220 | NP16CT.pdf | |
![]() | SFSEG7V | SFSEG7V NEC SMD or Through Hole | SFSEG7V.pdf | |
![]() | BDS-1260S-220M | BDS-1260S-220M BUJEON DS5022 | BDS-1260S-220M.pdf | |
![]() | SSL211TFOF | SSL211TFOF NEC TQFP1414-100 | SSL211TFOF.pdf | |
![]() | P0544NL | P0544NL Pulse SMD or Through Hole | P0544NL.pdf | |
![]() | DAC8814ICDB | DAC8814ICDB TI SSOP28 | DAC8814ICDB.pdf | |
![]() | NJM2267M (TE1) | NJM2267M (TE1) JRC SOP | NJM2267M (TE1).pdf |