창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR600150CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR600150CT thru MBR600200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR600150CT | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR600150CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B76306E6879M018 | 680µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | B76306E6879M018.pdf | |
![]() | MBR1635 | DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC | MBR1635.pdf | |
![]() | HKQ0603U5N1C-T | 5.1nH Unshielded Multilayer Inductor 330mA 450 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U5N1C-T.pdf | |
![]() | IHLP4040DZER220M8A | 22µH Shielded Molded Inductor 4.1A 75.44 mOhm Max Nonstandard | IHLP4040DZER220M8A.pdf | |
![]() | FCFBMH3225HM102NT | FCFBMH3225HM102NT ORIGINAL SMD | FCFBMH3225HM102NT.pdf | |
![]() | M1-0110-5 | M1-0110-5 HAR DIP | M1-0110-5.pdf | |
![]() | SAP4825D | SAP4825D JDQ SMD or Through Hole | SAP4825D.pdf | |
![]() | NFV14D681 | NFV14D681 NFV SMD or Through Hole | NFV14D681.pdf | |
![]() | K681M15X7RF5.H5 | K681M15X7RF5.H5 VISHAY DIP | K681M15X7RF5.H5.pdf | |
![]() | S-51106 | S-51106 FRECOM DIP4 | S-51106.pdf | |
![]() | 6A6(=6A60) | 6A6(=6A60) JGD DIODEPBFREE | 6A6(=6A60).pdf | |
![]() | LC3030CCB3TR36 | LC3030CCB3TR36 ORIGINAL SOT-23 | LC3030CCB3TR36.pdf |