창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR50080CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR50045CT ~ 500100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 250A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR50080CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR50080CT | |
관련 링크 | MBR500, MBR50080CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RW0S6BBR010FET | RES SMD 0.01 OHM 1% 0.6W 2010 | RW0S6BBR010FET.pdf | |
![]() | RC12JB8M20 | RES 8.2M OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB8M20.pdf | |
![]() | SABC161OLM3VHA | SABC161OLM3VHA INFINEON SMD or Through Hole | SABC161OLM3VHA.pdf | |
![]() | ULCE36A | ULCE36A EIC/LITTELFU DO-201 | ULCE36A.pdf | |
![]() | AP4880BGM | AP4880BGM APEC SOP-8 | AP4880BGM.pdf | |
![]() | FNR-20K431 | FNR-20K431 FNR SMD or Through Hole | FNR-20K431.pdf | |
![]() | HDR9107 | HDR9107 Hosiden SMD or Through Hole | HDR9107.pdf | |
![]() | FH12A-24S-0.5S | FH12A-24S-0.5S ORIGINAL SMD or Through Hole | FH12A-24S-0.5S.pdf | |
![]() | IR3401C-R-20A | IR3401C-R-20A JW 850NM | IR3401C-R-20A.pdf | |
![]() | LTC1625IG | LTC1625IG LT SMD-16 | LTC1625IG.pdf |