창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR50060CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR50045CT ~ 500100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 250A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR50060CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR50060CTR | |
관련 링크 | MBR500, MBR50060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | FJP3307DTU | TRANS NPN 400V 8A TO220 | FJP3307DTU.pdf | |
![]() | FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK | FDD6N20TM.pdf | |
![]() | 4304H5NF | Green LED Indication - Discrete 2.1V Radial | 4304H5NF.pdf | |
![]() | SP1210R-681H | 680nH Shielded Wirewound Inductor 1.32A 119 mOhm Max Nonstandard | SP1210R-681H.pdf | |
![]() | E6C3-CWZ3XH 1000P/R 1M | ENCODER ROTARY 5-12V 1000RES 1M | E6C3-CWZ3XH 1000P/R 1M.pdf | |
![]() | 3842-0 | 3842-0 ORIGINAL DIP-8P | 3842-0.pdf | |
![]() | BB02-CQ122-K03-10000 | BB02-CQ122-K03-10000 gradconn SMD or Through Hole | BB02-CQ122-K03-10000.pdf | |
![]() | AIC1117A-25CMTR | AIC1117A-25CMTR AIC/ SOT-263 | AIC1117A-25CMTR.pdf | |
![]() | TLP627(TP1 | TLP627(TP1 TOS SMD-4 | TLP627(TP1.pdf | |
![]() | T83SL314IB | T83SL314IB XR BGA | T83SL314IB.pdf | |
![]() | 5116EY | 5116EY ISD SSOP | 5116EY.pdf | |
![]() | 6652007 | 6652007 MURR SMD or Through Hole | 6652007.pdf |