창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR50045CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR50045CT ~ 500100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR50045CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR50045CT | |
| 관련 링크 | MBR500, MBR50045CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GCM188R71E332KA37D | 3300pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM188R71E332KA37D.pdf | |
![]() | 7V-10.000MAAV-T | 10MHz ±30ppm 수정 8pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-10.000MAAV-T.pdf | |
![]() | RT0603DRD07121KL | RES SMD 121K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07121KL.pdf | |
![]() | EM2775 | EM2775 EMPIA QFN | EM2775.pdf | |
![]() | LTC6401CUD-14 | LTC6401CUD-14 LT SMD or Through Hole | LTC6401CUD-14.pdf | |
![]() | SM1145JDV 125.0000MHZ | SM1145JDV 125.0000MHZ Ple SOP | SM1145JDV 125.0000MHZ.pdf | |
![]() | BD53xxFVE series | BD53xxFVE series ROHM SMD or Through Hole | BD53xxFVE series.pdf | |
![]() | EPF10K30ABI356-3 | EPF10K30ABI356-3 ALTERA Call | EPF10K30ABI356-3.pdf | |
![]() | REF3112AIDB2T | REF3112AIDB2T ORIGINAL SMD or Through Hole | REF3112AIDB2T.pdf | |
![]() | TMK316BJ474KL- | TMK316BJ474KL- TAIYO SMD or Through Hole | TMK316BJ474KL-.pdf | |
![]() | CL301R | CL301R CHINA SMD or Through Hole | CL301R.pdf | |
![]() | PIC16F917-E/PT | PIC16F917-E/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC16F917-E/PT.pdf |