창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR50030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR50020CT ~ 50040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR50030CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR50030CT | |
| 관련 링크 | MBR500, MBR50030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805DRE07523RL | RES SMD 523 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07523RL.pdf | |
![]() | TX-AMN3110 | TX-AMN3110 AMIMON QFN | TX-AMN3110.pdf | |
![]() | 822K100K01L4 | 822K100K01L4 KEMET SMD or Through Hole | 822K100K01L4.pdf | |
![]() | M51363 | M51363 ORIGINAL SMD or Through Hole | M51363.pdf | |
![]() | WL-TK190UBCH | WL-TK190UBCH ORIGINAL SMD or Through Hole | WL-TK190UBCH.pdf | |
![]() | AM27C64-150JC | AM27C64-150JC AMD PLCC-32 | AM27C64-150JC.pdf | |
![]() | HT93LC55-C | HT93LC55-C HT SOP8 | HT93LC55-C.pdf | |
![]() | MB89P857K51 | MB89P857K51 fujitsu SMD or Through Hole | MB89P857K51.pdf | |
![]() | MSP4450L-P2 | MSP4450L-P2 MICRONAS QFP | MSP4450L-P2.pdf | |
![]() | BZX284-C11 | BZX284-C11 PHI SOD | BZX284-C11.pdf | |
![]() | 2SB1132T100 Q/R | 2SB1132T100 Q/R ROHM SMD or Through Hole | 2SB1132T100 Q/R.pdf | |
![]() | SUB75N75-06-E3 | SUB75N75-06-E3 VISHAY TO-263 | SUB75N75-06-E3.pdf |