창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR50020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR50020CT ~ 50040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR50020CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR50020CTR | |
| 관련 링크 | MBR500, MBR50020CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2202-21ST(B) | 2202-21ST(B) HR SMD or Through Hole | 2202-21ST(B).pdf | |
![]() | LT3494EDDB#TRMPBF | LT3494EDDB#TRMPBF LT QFN | LT3494EDDB#TRMPBF.pdf | |
![]() | AD644LH/883 | AD644LH/883 ORIGINAL CAN | AD644LH/883.pdf | |
![]() | 266-06813-00 | 266-06813-00 AMIS PQFP-208P | 266-06813-00.pdf | |
![]() | ADAS1127BBCZ | ADAS1127BBCZ AD SMD or Through Hole | ADAS1127BBCZ.pdf | |
![]() | MAX809RD$TCM809SENB713 | MAX809RD$TCM809SENB713 NA NA | MAX809RD$TCM809SENB713.pdf | |
![]() | T63YA10K10%TU50 | T63YA10K10%TU50 ORIGINAL SMD or Through Hole | T63YA10K10%TU50.pdf | |
![]() | AP1184K5-50L | AP1184K5-50L DIODES TO-263-5 | AP1184K5-50L.pdf | |
![]() | TMS470MF06607 | TMS470MF06607 TI QFP | TMS470MF06607.pdf | |
![]() | SM20CXC724 | SM20CXC724 WESTCODE SMD or Through Hole | SM20CXC724.pdf | |
![]() | GS8644Z36GE-250 | GS8644Z36GE-250 ORIGINAL NA | GS8644Z36GE-250.pdf | |
![]() | HBFP0420 | HBFP0420 Agilent SMD or Through Hole | HBFP0420.pdf |