창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR500100CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR50045CT ~ 500100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR500100CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR500100CT | |
| 관련 링크 | MBR500, MBR500100CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D101KXXAJ | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101KXXAJ.pdf | |
![]() | SIT8920AM-31-33E-25.000000Y | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT8920AM-31-33E-25.000000Y.pdf | |
![]() | RC1608F1693CS | RES SMD 169K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F1693CS.pdf | |
![]() | RG3216N-1180-W-T1 | RES SMD 118 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1180-W-T1.pdf | |
![]() | CA26282-B44210 | CA26282-B44210 FUJI BGA | CA26282-B44210.pdf | |
![]() | SI4431ADY-T1-E | SI4431ADY-T1-E VISHAY SOP-8 | SI4431ADY-T1-E.pdf | |
![]() | MBCG24143-4613PF-G | MBCG24143-4613PF-G FUJI QFP | MBCG24143-4613PF-G.pdf | |
![]() | RL5E943 | RL5E943 RICOH TQFP | RL5E943.pdf | |
![]() | RC2512JR-078K2L 2512 8.2K | RC2512JR-078K2L 2512 8.2K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2512JR-078K2L 2512 8.2K.pdf | |
![]() | HC2G477M30050 | HC2G477M30050 SAMW DIP2 | HC2G477M30050.pdf | |
![]() | ASM-16.000MHZ-ET | ASM-16.000MHZ-ET ORIGINAL SMD or Through Hole | ASM-16.000MHZ-ET.pdf | |
![]() | SG1A107M05011PAA80 | SG1A107M05011PAA80 SAMWHA SMD or Through Hole | SG1A107M05011PAA80.pdf |