창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR500100CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR50045CT ~ 500100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR500100CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR500100CT | |
| 관련 링크 | MBR500, MBR500100CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CMF55200K00BHEB | RES 200K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55200K00BHEB.pdf | |
![]() | Y07862K50000T9L | RES 2.5K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y07862K50000T9L.pdf | |
![]() | LPD6803/LPD6803S | LPD6803/LPD6803S LPD SOP16 | LPD6803/LPD6803S.pdf | |
![]() | TRW1047J7C | TRW1047J7C TRW CDIP | TRW1047J7C.pdf | |
![]() | C1161P | C1161P ORIGINAL DIP | C1161P.pdf | |
![]() | D4099BC | D4099BC NEC DIP-16 | D4099BC.pdf | |
![]() | RFT3100-00PQA | RFT3100-00PQA QUALCOMM QFN-32P | RFT3100-00PQA.pdf | |
![]() | PS2801-3 | PS2801-3 SAMSUN SOP | PS2801-3.pdf | |
![]() | VJ1812A680KXGAT | VJ1812A680KXGAT VISHAY 1812C0G68pF1kV | VJ1812A680KXGAT.pdf | |
![]() | 4N26 .. | 4N26 .. HARRIS DIP-6 | 4N26 ...pdf | |
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![]() | ESME251LGC222MC80N | ESME251LGC222MC80N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ESME251LGC222MC80N.pdf |