창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR40080CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 200A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR40080CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR40080CTR | |
관련 링크 | MBR400, MBR40080CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
LD051A330GAB2A | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A330GAB2A.pdf | ||
1330-26H | 1.8µH Unshielded Inductor 480mA 300 mOhm Max 2-SMD | 1330-26H.pdf | ||
Y16242K86800B9W | RES SMD 2.868KOHM 0.1% 1/5W 0805 | Y16242K86800B9W.pdf | ||
GT3132 | GT3132 ORIGINAL PLCC68 | GT3132.pdf | ||
1UF50V5*11 | 1UF50V5*11 RUBYCON/ SMD or Through Hole | 1UF50V5*11.pdf | ||
GBJ3506 | GBJ3506 SEP SMD or Through Hole | GBJ3506.pdf | ||
BCM5705MKFB-P13 | BCM5705MKFB-P13 BROADCOM BGA | BCM5705MKFB-P13.pdf | ||
W103097301 | W103097301 LT TO-3 | W103097301.pdf | ||
VJ1812Y824KXAMT | VJ1812Y824KXAMT VISHAY SMD or Through Hole | VJ1812Y824KXAMT.pdf | ||
LM3485QMMX | LM3485QMMX NS MSOP-8 | LM3485QMMX.pdf | ||
MC33461SQ-44CTR | MC33461SQ-44CTR ON SOT343 | MC33461SQ-44CTR.pdf | ||
HD975BWCJ4BGH | HD975BWCJ4BGH AMD PGA | HD975BWCJ4BGH.pdf |