창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40080CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40080CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40080CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40080CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | Y0062250R000B0L | RES 250 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0062250R000B0L.pdf | |
![]() | S2011S | S2011S IR SOP8L | S2011S.pdf | |
![]() | G4BC20U-D | G4BC20U-D ORIGINAL TO-220 | G4BC20U-D.pdf | |
![]() | A0612KRNPO9BN271K | A0612KRNPO9BN271K YAGEO SMD or Through Hole | A0612KRNPO9BN271K.pdf | |
![]() | U10SC30M | U10SC30M SHI TO-220 | U10SC30M.pdf | |
![]() | EM29LV800TA-70TC | EM29LV800TA-70TC EON SMD or Through Hole | EM29LV800TA-70TC.pdf | |
![]() | A108SYZQ04 | A108SYZQ04 ORIGINAL SMD or Through Hole | A108SYZQ04.pdf | |
![]() | SNJ54ALS109A/BEAJC | SNJ54ALS109A/BEAJC TI CDIP | SNJ54ALS109A/BEAJC.pdf | |
![]() | AMMC5618-W10 | AMMC5618-W10 M/A-Com NA | AMMC5618-W10.pdf | |
![]() | t21 | t21 PHILIPS SOT-23 | t21.pdf | |
![]() | APL5509-22A | APL5509-22A ANPEC SOT89 | APL5509-22A.pdf | |
![]() | ISR35E6416-C1 | ISR35E6416-C1 Fujistu SMD or Through Hole | ISR35E6416-C1.pdf |