창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40040CTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40040CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 40V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40040CTL | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40040CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
| SLPX222M080A7P3 | 2200µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 151 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | SLPX222M080A7P3.pdf | ||
![]() | VJ0805D221JXCAJ | 220pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D221JXCAJ.pdf | |
![]() | BFC238343133 | 0.013µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC238343133.pdf | |
![]() | LPV1823-101KL | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 90 mOhm Max Radial | LPV1823-101KL.pdf | |
![]() | RT0603FRD07140KL | RES SMD 140K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD07140KL.pdf | |
![]() | TMP06BKSZ-REEL7 | TMP06BKSZ-REEL7 AD SOT-23 | TMP06BKSZ-REEL7.pdf | |
![]() | KRC404E-RTK/P/ND | KRC404E-RTK/P/ND KEC SOT-423 | KRC404E-RTK/P/ND.pdf | |
![]() | N10M-GS1-B | N10M-GS1-B NVIDIA BGA | N10M-GS1-B.pdf | |
![]() | SNL2012S-R56J-T | SNL2012S-R56J-T GS SMD or Through Hole | SNL2012S-R56J-T.pdf | |
![]() | KSH3055TF-NL | KSH3055TF-NL FAIRCHILD TO-252 | KSH3055TF-NL.pdf | |
![]() | ISL6605CRZA-T | ISL6605CRZA-T INTERSIL SMD or Through Hole | ISL6605CRZA-T.pdf | |
![]() | PT6343A | PT6343A POWERTRENDS SMD or Through Hole | PT6343A.pdf |