창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40040CTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40040CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 40V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40040CTL | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40040CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | BFC241803604 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC241803604.pdf | |
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![]() | SIT3808AI-2-28EY | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Enable/Disable | SIT3808AI-2-28EY.pdf | |
![]() | S1DHE3_A/I | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | S1DHE3_A/I.pdf | |
![]() | NLFV32T-471K-EFT | 470µH Shielded Wirewound Inductor 30mA 17.4 Ohm Max Nonstandard | NLFV32T-471K-EFT.pdf | |
![]() | GT216-650-A3 | GT216-650-A3 NVIDIA BGA | GT216-650-A3.pdf | |
![]() | TMS27PC040 | TMS27PC040 ORIGINAL PLCC | TMS27PC040.pdf | |
![]() | AS7C3256A-10TCN | AS7C3256A-10TCN Alliance TSOP28 | AS7C3256A-10TCN.pdf | |
![]() | 55-30DB | 55-30DB WEINSCHEL SMD or Through Hole | 55-30DB.pdf | |
![]() | CM316X5R106M06A | CM316X5R106M06A KYOCERA SMD or Through Hole | CM316X5R106M06A.pdf | |
![]() | TLGE262(F) | TLGE262(F) TOSHIBA ROHS | TLGE262(F).pdf |