창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40035CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 35V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1058 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40035CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40035CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R7DLXAC | 1.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R7DLXAC.pdf | |
![]() | VJ0603D331JXXAJ | 330pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D331JXXAJ.pdf | |
![]() | RSF3JT430R | RES MO 3W 430 OHM 5% AXIAL | RSF3JT430R.pdf | |
![]() | HBL8215C | HBL8215C HUBBEL BULK | HBL8215C.pdf | |
![]() | M38223M4M-176FP | M38223M4M-176FP MIT QFP | M38223M4M-176FP.pdf | |
![]() | ZMM6B2 ST | ZMM6B2 ST ST LL-34 | ZMM6B2 ST.pdf | |
![]() | FLZ11VC-NL | FLZ11VC-NL FSC SOD-80 | FLZ11VC-NL.pdf | |
![]() | 950016641 | 950016641 MOLEX SMD or Through Hole | 950016641.pdf | |
![]() | AM8031 | AM8031 ORIGINAL SMD or Through Hole | AM8031.pdf | |
![]() | SiS5511F2CT-F-0 | SiS5511F2CT-F-0 SiS PQFP | SiS5511F2CT-F-0.pdf | |
![]() | SRF1489NAC9-TB12R | SRF1489NAC9-TB12R TOSHIBA SMD or Through Hole | SRF1489NAC9-TB12R.pdf | |
![]() | HYB18T1G161C2F-25 | HYB18T1G161C2F-25 QIMONDA BGA | HYB18T1G161C2F-25.pdf |