창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40030CTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40030CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 30V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40030CTRL | |
| 관련 링크 | MBR4003, MBR40030CTRL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 18081A102JAT2A | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 18081A102JAT2A.pdf | |
![]() | ASDMB-150.000MHZ-LY-T | 150MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-150.000MHZ-LY-T.pdf | |
![]() | SIT9121AC-2D3-XXE200.000000T | OSC XO 200MHZ | SIT9121AC-2D3-XXE200.000000T.pdf | |
![]() | SIT8208AC-G-18E | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT8208AC-G-18E.pdf | |
![]() | IRF6674TRPBF | MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET | IRF6674TRPBF.pdf | |
![]() | 204000072 | 204000072 JDSU SMD or Through Hole | 204000072.pdf | |
![]() | MTV230MN | MTV230MN MYSON DIP-48 | MTV230MN.pdf | |
![]() | H5RS11123MFR-N0C | H5RS11123MFR-N0C HYNIX BGA | H5RS11123MFR-N0C.pdf | |
![]() | L1A5328RE2.1 | L1A5328RE2.1 LSI PGA | L1A5328RE2.1.pdf | |
![]() | BU3246F | BU3246F ROHM SOP16 | BU3246F.pdf | |
![]() | FW82543GCSL3N9 | FW82543GCSL3N9 INT BGA | FW82543GCSL3N9.pdf |