창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40030CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40030CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GL080F35CET | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL080F35CET.pdf | |
![]() | 416F240XXCAR | 24MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240XXCAR.pdf | |
![]() | 3455R80870483 | PHENOLIC AUTO RESET THERMOSTAT | 3455R80870483.pdf | |
![]() | TCP317 | TCP317 SHAKP SOP-4 | TCP317.pdf | |
![]() | C2012X7T2W223M | C2012X7T2W223M TDK SMD | C2012X7T2W223M.pdf | |
![]() | SR221A150JAA | SR221A150JAA AVX DIP | SR221A150JAA.pdf | |
![]() | 12ND06 | 12ND06 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12ND06.pdf | |
![]() | MAX9725AETC+ | MAX9725AETC+ MAXIM TQFN-12 | MAX9725AETC+.pdf | |
![]() | VOG1752N28USE | VOG1752N28USE SAMSYNG SMD or Through Hole | VOG1752N28USE.pdf | |
![]() | 172DZM4012/28-12 | 172DZM4012/28-12 TELEDYNE SMD or Through Hole | 172DZM4012/28-12.pdf | |
![]() | EPM10K30AQC208-1 | EPM10K30AQC208-1 ALTERA SMD or Through Hole | EPM10K30AQC208-1.pdf | |
![]() | XN4111/9U | XN4111/9U PANAS SMD or Through Hole | XN4111/9U.pdf |