창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40020CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40020CTR | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40020CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DE2F3KH103MN7A | 10000pF 250VAC 세라믹 커패시터 F 방사형, 디스크 0.630" Dia(16.00mm) | DE2F3KH103MN7A.pdf | |
![]() | 43F180 | RES 180 OHM 3W 1% AXIAL | 43F180.pdf | |
![]() | CW01039K00JE733 | RES 39K OHM 13W 5% AXIAL | CW01039K00JE733.pdf | |
![]() | MAX8903C | MAX8903C MAXIM SMD or Through Hole | MAX8903C.pdf | |
![]() | SP1003-01DT | SP1003-01DT ORIGINAL SMD or Through Hole | SP1003-01DT.pdf | |
![]() | 42CTQ030STRI | 42CTQ030STRI IR TO263 | 42CTQ030STRI.pdf | |
![]() | G3VM-6 | G3VM-6 OMRON DIP | G3VM-6.pdf | |
![]() | 0051LTU | 0051LTU ORIGINAL QFP | 0051LTU.pdf | |
![]() | A44L-0001-0166#200A | A44L-0001-0166#200A FANUC SMD or Through Hole | A44L-0001-0166#200A.pdf | |
![]() | 105-151 | 105-151 LY SMD | 105-151.pdf | |
![]() | CDR35BX274AKSR | CDR35BX274AKSR AVX SMD | CDR35BX274AKSR.pdf | |
![]() | FBR161NED012U-CSA | FBR161NED012U-CSA FUJITSU SMD or Through Hole | FBR161NED012U-CSA.pdf |