창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40020CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40020CTR | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40020CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMLPE-18-125.000MHZ-LJ-E-T3 | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 5.6mA Enable/Disable | ASTMLPE-18-125.000MHZ-LJ-E-T3.pdf | |
![]() | MMST2222A-7 | TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 | MMST2222A-7.pdf | |
![]() | ULCE0505C015PE | ULCE0505C015PE ORIGINAL 15KV8KVP15 | ULCE0505C015PE.pdf | |
![]() | P214CH04FN0 | P214CH04FN0 WESTCODE SMD or Through Hole | P214CH04FN0.pdf | |
![]() | LM234AH/883C | LM234AH/883C NS CAN3 | LM234AH/883C.pdf | |
![]() | SAF7730HV/312D | SAF7730HV/312D NXP QFP | SAF7730HV/312D.pdf | |
![]() | TG29-1505NXRL | TG29-1505NXRL HALO SOP40 | TG29-1505NXRL.pdf | |
![]() | VJ0402A6R8CXAT 0402-6.8P | VJ0402A6R8CXAT 0402-6.8P VISHAY SMD or Through Hole | VJ0402A6R8CXAT 0402-6.8P.pdf | |
![]() | 8442AYILF | 8442AYILF IDT SMD or Through Hole | 8442AYILF.pdf | |
![]() | LCN1206T-1R0G-N | LCN1206T-1R0G-N YAGEO SMD | LCN1206T-1R0G-N.pdf | |
![]() | LXV100-048SW | LXV100-048SW Excelsys SMD or Through Hole | LXV100-048SW.pdf | |
![]() | RC01J2R2G | RC01J2R2G Skywell SMD | RC01J2R2G.pdf |