창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40020CTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40020CTL | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40020CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL203125221E3 | 220µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 1.16 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 85°C | MAL203125221E3.pdf | |
![]() | CMF605K1100BEBF | RES 5.11K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF605K1100BEBF.pdf | |
![]() | 470103565 | 470103565 NA SMD or Through Hole | 470103565.pdf | |
![]() | 4483.15MR | 4483.15MR ORIGINAL SMD or Through Hole | 4483.15MR.pdf | |
![]() | 6321A25 | 6321A25 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6321A25.pdf | |
![]() | SLF-S080AB-CS | SLF-S080AB-CS ORIGINAL SMD or Through Hole | SLF-S080AB-CS.pdf | |
![]() | CC45SL1H181JYR | CC45SL1H181JYR TDK SMD or Through Hole | CC45SL1H181JYR.pdf | |
![]() | 5022-470UH | 5022-470UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 5022-470UH.pdf | |
![]() | CH05T1608=TDA9383PS/N2/1I0849 | CH05T1608=TDA9383PS/N2/1I0849 CH SMD or Through Hole | CH05T1608=TDA9383PS/N2/1I0849.pdf | |
![]() | MB88347LPFV-G-BND-E | MB88347LPFV-G-BND-E FUJITSU TSSOP | MB88347LPFV-G-BND-E.pdf | |
![]() | MG6990 | MG6990 N/A DIP | MG6990.pdf | |
![]() | KATOOGOOQM-D4YY | KATOOGOOQM-D4YY SAMSUNG BGA167 | KATOOGOOQM-D4YY.pdf |