창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40020CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40020CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40020CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40020CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PE-52651NL | 1mH Unshielded Toroidal Inductor 500mA 2.6 Ohm Max Radial | PE-52651NL.pdf | |
![]() | CRG0603F3K01 | RES SMD 3.01K OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F3K01.pdf | |
![]() | Y1624250R000Q23W | RES SMD 250 OHM 0.02% 1/5W 0805 | Y1624250R000Q23W.pdf | |
![]() | CMF554K6400FHR6 | RES 4.64K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554K6400FHR6.pdf | |
![]() | LC587004-1M95 | LC587004-1M95 Sanyosemi QFP | LC587004-1M95.pdf | |
![]() | ST6306BAO | ST6306BAO STM SMD or Through Hole | ST6306BAO.pdf | |
![]() | MMZ1608D100CT000 | MMZ1608D100CT000 TDK SMD or Through Hole | MMZ1608D100CT000.pdf | |
![]() | 593D157X9016E2WE3 | 593D157X9016E2WE3 Vishay SMD | 593D157X9016E2WE3.pdf | |
![]() | IXP460 | IXP460 ATI BGA | IXP460.pdf | |
![]() | 54LS109A/B2CJC | 54LS109A/B2CJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54LS109A/B2CJC.pdf | |
![]() | KMH35VN682M22X40T2 | KMH35VN682M22X40T2 UNITED DIP | KMH35VN682M22X40T2.pdf | |
![]() | PASCE1284 | PASCE1284 CMD SSOP | PASCE1284.pdf |