창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40020CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40020CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40020CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40020CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DO3316P-224-C | DO3316P-224-C COILCRAFT SMD or Through Hole | DO3316P-224-C.pdf | |
![]() | 52044-3645 | 52044-3645 MOLEX SMD or Through Hole | 52044-3645.pdf | |
![]() | TS4B04 | TS4B04 ORIGINAL DIP | TS4B04.pdf | |
![]() | PRN10014N | PRN10014N CMD SOP | PRN10014N.pdf | |
![]() | MM9202F | MM9202F MITSUMI SOP | MM9202F.pdf | |
![]() | HIS-3182-8 | HIS-3182-8 HARRIS DIP16 | HIS-3182-8.pdf | |
![]() | MC68HC000P12/MC68HC000P8 | MC68HC000P12/MC68HC000P8 MOTOROLA SMD or Through Hole | MC68HC000P12/MC68HC000P8.pdf | |
![]() | LT1071CSW | LT1071CSW LT SOP | LT1071CSW.pdf | |
![]() | OPL-06752 | OPL-06752 Opulan/Atheros NA | OPL-06752.pdf | |
![]() | P83C0558BBP/193 | P83C0558BBP/193 ORIGINAL DIP-42 | P83C0558BBP/193.pdf | |
![]() | HVD133KRF(3) | HVD133KRF(3) HITACHI SOD723 | HVD133KRF(3).pdf |