창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR400200CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR400150CT thru MBR400200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR400200CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR400200CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812Y274JBBAT4X | 0.27µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y274JBBAT4X.pdf | |
![]() | 1N4920 | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | 1N4920.pdf | |
![]() | IRFP4229PBF | MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC | IRFP4229PBF.pdf | |
![]() | 07112GOA | 07112GOA MICROSEMI SMD or Through Hole | 07112GOA.pdf | |
![]() | ACDATA30 | ACDATA30 JS DIP | ACDATA30.pdf | |
![]() | 1-916769-2 | 1-916769-2 TYCO SMD or Through Hole | 1-916769-2.pdf | |
![]() | 981-2A-24DS | 981-2A-24DS ORIGINAL DIP-SOP | 981-2A-24DS.pdf | |
![]() | LSC437687fb | LSC437687fb ORIGINAL SMD or Through Hole | LSC437687fb.pdf | |
![]() | SW10052N4DL | SW10052N4DL ABC SMD or Through Hole | SW10052N4DL.pdf | |
![]() | 24.576MHz HC-49S | 24.576MHz HC-49S ORIGINAL SMD or Through Hole | 24.576MHz HC-49S.pdf | |
![]() | SSVPZTA92T1G | SSVPZTA92T1G ORIGINAL SMD or Through Hole | SSVPZTA92T1G.pdf | |
![]() | TPS79018DBVT | TPS79018DBVT TI SMD or Through Hole | TPS79018DBVT.pdf |