창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR400150CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR400150CT thru MBR400200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR400150CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR400150CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TYS4030680M-10 | 68µH Shielded Inductor 520mA 868 mOhm Max Nonstandard | TYS4030680M-10.pdf | |
![]() | FJD102PT | FJD102PT ORIGINAL LL34-1KNTC | FJD102PT.pdf | |
![]() | PN5091 | PN5091 ORIGINAL SMD or Through Hole | PN5091.pdf | |
![]() | K7D403671M-HC25 | K7D403671M-HC25 SAMSUNG BGA | K7D403671M-HC25.pdf | |
![]() | 836/05BT | 836/05BT X QFN | 836/05BT.pdf | |
![]() | 8308P | 8308P ORIGINAL SOP-8 | 8308P.pdf | |
![]() | MC68HC05L24 | MC68HC05L24 MOT SMD or Through Hole | MC68HC05L24.pdf | |
![]() | 74AHCT1G86GW,125 | 74AHCT1G86GW,125 NXPSEMI SMD or Through Hole | 74AHCT1G86GW,125.pdf | |
![]() | IMICB664ETBT | IMICB664ETBT CY SOP | IMICB664ETBT.pdf | |
![]() | LTC23450EUD | LTC23450EUD LTC QFN | LTC23450EUD.pdf | |
![]() | HT46R65/QFP100 | HT46R65/QFP100 HOLTEK SMD or Through Hole | HT46R65/QFP100.pdf | |
![]() | RS19DH | RS19DH MRS NEW | RS19DH.pdf |