창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR400100CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1022 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR400100CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR400100CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | Y078927K0000T9L | RES 27K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y078927K0000T9L.pdf | |
![]() | CS4231AK-Q | CS4231AK-Q CRYSTAL SMD or Through Hole | CS4231AK-Q.pdf | |
![]() | T1380C30APGE20 | T1380C30APGE20 TI QFP | T1380C30APGE20.pdf | |
![]() | LF1S023B | LF1S023B BOTHHAND SOPDIP | LF1S023B.pdf | |
![]() | FAR-F6KB-1G8425-B4GA-ZA | FAR-F6KB-1G8425-B4GA-ZA FUJTSU SMD or Through Hole | FAR-F6KB-1G8425-B4GA-ZA.pdf | |
![]() | NZ2520SB-40.00MHZ | NZ2520SB-40.00MHZ NDK SMD | NZ2520SB-40.00MHZ.pdf | |
![]() | TBC548 | TBC548 ORIGINAL TO-92 | TBC548.pdf | |
![]() | MB60VH516PR-G | MB60VH516PR-G FUJ DIP | MB60VH516PR-G.pdf | |
![]() | 0-1004308-0 | 0-1004308-0 MEASUREMENT SMD or Through Hole | 0-1004308-0.pdf | |
![]() | TT2136 | TT2136 ORIGINAL SMD or Through Hole | TT2136.pdf | |
![]() | CL321611T-1R8M-S | CL321611T-1R8M-S YAGEO SMD or Through Hole | CL321611T-1R8M-S.pdf | |
![]() | MT29F400B3WG-9T | MT29F400B3WG-9T MICRON SMD or Through Hole | MT29F400B3WG-9T.pdf |