창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR3560 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR3545~35100R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 35A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1.5mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | MBR3560GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR3560 | |
| 관련 링크 | MBR3, MBR3560 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BT138-600,127 | TRIAC 600V 12A TO220AB | BT138-600,127.pdf | |
![]() | RT1210WRB07590RL | RES SMD 590 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB07590RL.pdf | |
![]() | RCS0603330RJNEA | RES SMD 330 OHM 5% 1/4W 0603 | RCS0603330RJNEA.pdf | |
![]() | TC6503N015VCTTR | IC TEMP SW OPEN DRAIN SOT23A-5 | TC6503N015VCTTR.pdf | |
![]() | U8428K | U8428K ORIGINAL TO-5 CAN8 | U8428K.pdf | |
![]() | PT6674E | PT6674E TI SMD or Through Hole | PT6674E.pdf | |
![]() | FD08 | FD08 FDS SOP-8 | FD08.pdf | |
![]() | 41213 | 41213 Amphenol SMD or Through Hole | 41213.pdf | |
![]() | GT5G131(TE12L.Q) | GT5G131(TE12L.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | GT5G131(TE12L.Q).pdf | |
![]() | SST37VF020-70-3C | SST37VF020-70-3C SST SMD or Through Hole | SST37VF020-70-3C.pdf | |
![]() | CR25-1/4W330RJT/B | CR25-1/4W330RJT/B WELWYN SMD or Through Hole | CR25-1/4W330RJT/B.pdf | |
![]() | SI1170BCL64 | SI1170BCL64 ORIGINAL SMD or Through Hole | SI1170BCL64.pdf |