창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR30H150CTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR(F)30H150CTG | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 13/Oct/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.11V @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 60µA @ 150V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MBR30H150CTG-ND MBR30H150CTGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR30H150CTG | |
| 관련 링크 | MBR30H1, MBR30H150CTG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602ACF7-30E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACF7-30E.pdf | |
![]() | BAV21WS-G3-18 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | BAV21WS-G3-18.pdf | |
![]() | QS3245YPA | QS3245YPA IDT Call | QS3245YPA.pdf | |
![]() | TRA3-L-6V-S-2Z | TRA3-L-6V-S-2Z ORIGINAL SMD or Through Hole | TRA3-L-6V-S-2Z.pdf | |
![]() | CXA1673 | CXA1673 SONY DIP | CXA1673.pdf | |
![]() | PCLP10-2R2M-RC | PCLP10-2R2M-RC ALLIED SMD | PCLP10-2R2M-RC.pdf | |
![]() | 94HBB08WRT | 94HBB08WRT GRAYHILL SMD or Through Hole | 94HBB08WRT.pdf | |
![]() | mI-65262-9 | mI-65262-9 HAR CDIP | mI-65262-9.pdf | |
![]() | DS74S288AN | DS74S288AN NS DIP | DS74S288AN.pdf | |
![]() | M824-319D | M824-319D NTE NULL | M824-319D.pdf | |
![]() | BZX84C3V9LT1G-ON# | BZX84C3V9LT1G-ON# ON SMD or Through Hole | BZX84C3V9LT1G-ON#.pdf |