창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR30H100MFST1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR30H100MFS, NRVB30H100MFS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 30A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 30A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR30H100MFST1G | |
| 관련 링크 | MBR30H100, MBR30H100MFST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UP050CH181J-KFCZ | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050CH181J-KFCZ.pdf | |
![]() | C1206C821F2GACTU | 820pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C821F2GACTU.pdf | |
| AA-16.000MALE-T | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | AA-16.000MALE-T.pdf | ||
![]() | P1812-392J | 3.9µH Unshielded Inductor 700mA 347 mOhm Max Nonstandard | P1812-392J.pdf | |
![]() | AA0805FR-07237KL | RES SMD 237K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-07237KL.pdf | |
![]() | RR02J1R8TB | RES 1.80 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J1R8TB.pdf | |
![]() | M65660FP | M65660FP MIT QFP | M65660FP.pdf | |
![]() | 74ALS646WMX | 74ALS646WMX fsc INSTOCKPACK1000 | 74ALS646WMX.pdf | |
![]() | BD82IBX QV21ES | BD82IBX QV21ES INTEL BGA | BD82IBX QV21ES.pdf | |
![]() | NLX1G74 | NLX1G74 ON UQFN-8 | NLX1G74.pdf | |
![]() | MAX5632AETK+ | MAX5632AETK+ MAXIM QFN | MAX5632AETK+.pdf | |
![]() | IPS59SB14 | IPS59SB14 PHILIPS SMD or Through Hole | IPS59SB14.pdf |