창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR30200CTE3/TU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR3040CT-MBR30200CT,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR30200CTE3/TU | |
| 관련 링크 | MBR30200C, MBR30200CTE3/TU 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445A33K30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 8pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33K30M00000.pdf | |
| 511BAB-AAAG | 100kHz ~ 124.999MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 23mA Enable/Disable | 511BAB-AAAG.pdf | ||
![]() | AC2512FK-07931KL | RES SMD 931K OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-07931KL.pdf | |
![]() | P12SV | P12SV ORIGINAL NEW | P12SV.pdf | |
![]() | AMJ-188-30101-CAT6 | AMJ-188-30101-CAT6 ASSMANN SMD or Through Hole | AMJ-188-30101-CAT6.pdf | |
![]() | EN29LV320B70 | EN29LV320B70 EONSILICON TSOP | EN29LV320B70.pdf | |
![]() | KBPC4016PW | KBPC4016PW VISHAY/HY/WTE SMD or Through Hole | KBPC4016PW.pdf | |
![]() | IWS1209 | IWS1209 IPD SMD or Through Hole | IWS1209.pdf | |
![]() | MAX166BCWP+ | MAX166BCWP+ MAXIM SOP-20 | MAX166BCWP+.pdf | |
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![]() | PMCU-2015 | PMCU-2015 PMI SMD or Through Hole | PMCU-2015.pdf | |
![]() | TW9N800CT | TW9N800CT AEG SMD or Through Hole | TW9N800CT.pdf |