창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR30080CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR30045CT ~ 300100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 150A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 8mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR30080CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR30080CT | |
| 관련 링크 | MBR300, MBR30080CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 170M6503 | FUSE 1400A 1100V 3SPKN/85 AR | 170M6503.pdf | |
![]() | DP09HN15A15F | DP09 HOR 15P NDET 15F M7*5MM | DP09HN15A15F.pdf | |
![]() | AT24C164-10SU-2.7 ROHST-R | AT24C164-10SU-2.7 ROHST-R ATM SMD or Through Hole | AT24C164-10SU-2.7 ROHST-R.pdf | |
![]() | DE2E3KY222M | DE2E3KY222M MURATA SMD or Through Hole | DE2E3KY222M.pdf | |
![]() | TS922IPT(922I) | TS922IPT(922I) ST TSSOP8 | TS922IPT(922I).pdf | |
![]() | UZDT1048TA | UZDT1048TA ZETEX SM8.SOT-223 | UZDT1048TA.pdf | |
![]() | SRG35VB471M12X13LL | SRG35VB471M12X13LL UMITEDCHEMI-CON DIP | SRG35VB471M12X13LL.pdf | |
![]() | LMBZ84C3V3 | LMBZ84C3V3 LRC SMD or Through Hole | LMBZ84C3V3.pdf | |
![]() | GEFORCE2 GTS | GEFORCE2 GTS NVIDIA BGA | GEFORCE2 GTS.pdf | |
![]() | M81019PF | M81019PF ORIGINAL SMD or Through Hole | M81019PF.pdf | |
![]() | EGL16-02 | EGL16-02 FUJI SMD or Through Hole | EGL16-02.pdf |