창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR30030CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR30020CT thru MBR30040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 150A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 8mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR30030CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR30030CTR | |
| 관련 링크 | MBR300, MBR30030CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ADL5541-EVALZ | EVAL BOARD FOR ADL5541 | ADL5541-EVALZ.pdf | |
![]() | 740688-3 | 740688-3 AMP ROHS | 740688-3.pdf | |
![]() | G73-GTA-N-B1 | G73-GTA-N-B1 NVIDIA BGA | G73-GTA-N-B1.pdf | |
![]() | CCB362M | CCB362M ORIGINAL DIP | CCB362M.pdf | |
![]() | 6A6G | 6A6G PANJIT R-6 | 6A6G.pdf | |
![]() | GBU4JL-6088E3/ | GBU4JL-6088E3/ VISHAY ZIP-4 | GBU4JL-6088E3/.pdf | |
![]() | MC-316-32.768KHZ | MC-316-32.768KHZ EPSON SMD or Through Hole | MC-316-32.768KHZ.pdf | |
![]() | B1000AS-5R6NP3 | B1000AS-5R6NP3 ORIGINAL SMD or Through Hole | B1000AS-5R6NP3.pdf | |
![]() | MB81C1001A-70PSZ | MB81C1001A-70PSZ FUJITSU ZIP | MB81C1001A-70PSZ.pdf | |
![]() | IXGA12N60B | IXGA12N60B IXYS TO-263 | IXGA12N60B.pdf | |
![]() | 41074- | 41074- Lumberg SMD or Through Hole | 41074-.pdf |