창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2X120A180 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2X120A180 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 180V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 120A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 180V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2X120A180 | |
| 관련 링크 | MBR2X12, MBR2X120A180 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1812AA121JAT1A | 120pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AA121JAT1A.pdf | |
![]() | RT1206BRC07845RL | RES SMD 845 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07845RL.pdf | |
![]() | CMF552M3200FHEB | RES 2.32M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552M3200FHEB.pdf | |
![]() | CMF551K5000JHR6 | RES 1.5K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF551K5000JHR6.pdf | |
![]() | CL01Y225MR5NLN | CL01Y225MR5NLN SAMSUNG() SMD or Through Hole | CL01Y225MR5NLN.pdf | |
![]() | CI-1P-454-001V-060 | CI-1P-454-001V-060 MIT SMD or Through Hole | CI-1P-454-001V-060.pdf | |
![]() | PT1107 | PT1107 ORIGINAL SOT23 | PT1107.pdf | |
![]() | GVT7164B36Y | GVT7164B36Y GALVANTECH QFP | GVT7164B36Y.pdf | |
![]() | 25lc080-i-sn | 25lc080-i-sn microchip SMD or Through Hole | 25lc080-i-sn.pdf | |
![]() | 8502R0 | 8502R0 MOS/CSG DIP40 | 8502R0.pdf | |
![]() | SFH 2400 FA | SFH 2400 FA OSRAM SMD or Through Hole | SFH 2400 FA.pdf | |
![]() | LH1968 | LH1968 PERKINELM TO-3 | LH1968.pdf |