창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR2X120A150 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR2X120A150 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 120A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 150V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR2X120A150 | |
관련 링크 | MBR2X12, MBR2X120A150 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 403C11J19M68000 | 19.68MHz ±10ppm 수정 9pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C11J19M68000.pdf | |
![]() | AD8629AR | AD8629AR AD SOP | AD8629AR.pdf | |
![]() | LMH6723MA NOPB | LMH6723MA NOPB NS SOP8 | LMH6723MA NOPB.pdf | |
![]() | G412322VF25 | G412322VF25 ORIGINAL QFP | G412322VF25.pdf | |
![]() | LC7583A | LC7583A SAY QFP | LC7583A.pdf | |
![]() | P3010R | P3010R ST DO-4 | P3010R.pdf | |
![]() | DS26C32AMJ/883Q1MEA | DS26C32AMJ/883Q1MEA NS SMD or Through Hole | DS26C32AMJ/883Q1MEA.pdf | |
![]() | LM2841XMKX-ADJL/NOPB | LM2841XMKX-ADJL/NOPB NS/ SOT23-6 | LM2841XMKX-ADJL/NOPB.pdf | |
![]() | SML-12U8T | SML-12U8T ROHM LED | SML-12U8T.pdf | |
![]() | 225000115631- | 225000115631- YAGEO SMD | 225000115631-.pdf | |
![]() | OP37(OP37GP) | OP37(OP37GP) ORIGINAL SMD or Through Hole | OP37(OP37GP).pdf |