창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR2X120A080 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR2X120A080 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 120A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 80V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR2X120A080 | |
관련 링크 | MBR2X12, MBR2X120A080 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CL10A105KP8NNNC | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10A105KP8NNNC.pdf | |
![]() | US1B-TP | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | US1B-TP.pdf | |
![]() | IA1203XS-1W | IA1203XS-1W MICRODC SIP10 | IA1203XS-1W.pdf | |
![]() | TOTX193 | TOTX193 TOSHIBA NA | TOTX193.pdf | |
![]() | SKiiP 32 UPS 06 | SKiiP 32 UPS 06 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKiiP 32 UPS 06.pdf | |
![]() | 2N257A | 2N257A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N257A.pdf | |
![]() | 45984-6442 | 45984-6442 MOLEX SMD or Through Hole | 45984-6442.pdf | |
![]() | N10104DBG | N10104DBG M-TEK DIP10 | N10104DBG.pdf | |
![]() | 0612CG820K9B200 | 0612CG820K9B200 YAGEO SMD | 0612CG820K9B200.pdf | |
![]() | IST8001 | IST8001 ORIGINAL COG | IST8001.pdf | |
![]() | M74F74N | M74F74N ORIGINAL DIP-14P | M74F74N.pdf | |
![]() | PESD3V3L2UM.315 | PESD3V3L2UM.315 NXP SMD or Through Hole | PESD3V3L2UM.315.pdf |