창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2X080A200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2X080A200 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 80A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 80A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2X080A200 | |
| 관련 링크 | MBR2X08, MBR2X080A200 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 403C11A36M00000 | 36MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C11A36M00000.pdf | |
![]() | ETQ-P5LR60XFA | 600nH Shielded Wirewound Inductor 27A 1.1 mOhm Nonstandard | ETQ-P5LR60XFA.pdf | |
![]() | 8693320000 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 230VAC Coil Through Hole | 8693320000.pdf | |
![]() | CMF5516K500FHEA | RES 16.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5516K500FHEA.pdf | |
![]() | HDG-0805- | HDG-0805- Keil SOT23 | HDG-0805-.pdf | |
![]() | CS42L53C | CS42L53C CIRRUS QFN36 | CS42L53C.pdf | |
![]() | 3188EG472T200APA1 | 3188EG472T200APA1 CDE DIP | 3188EG472T200APA1.pdf | |
![]() | FQD6P25TM | FQD6P25TM FAIRCHILD TO-252 | FQD6P25TM.pdf | |
![]() | LLK2D102MHSB | LLK2D102MHSB NICHICON DIP | LLK2D102MHSB.pdf | |
![]() | 3DD127D8 | 3DD127D8 ORIGINAL TO-220 | 3DD127D8.pdf | |
![]() | B41590B8106T099 | B41590B8106T099 EPCOS SMD or Through Hole | B41590B8106T099.pdf | |
![]() | DIB9080H-ENG6 | DIB9080H-ENG6 DIBCOM SMD or Through Hole | DIB9080H-ENG6.pdf |