홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 어레이 » MBR2X080A080

GeneSiC Semiconductor MBR2X080A080

MBR2X080A080
제조업체 부품 번호
MBR2X080A080
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
데이터 시트 다운로드
다운로드
MBR2X080A080 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 21,003.85000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MBR2X080A080 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. MBR2X080A080 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MBR2X080A080가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MBR2X080A080 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MBR2X080A080 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MBR2X080A080
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MBR2X080A080
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성독립형 2개
다이오드 유형쇼트키
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)80V
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)80A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If840mV @ 80A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr1mA @ 80V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급 장치 패키지SOT-227
표준 포장 10
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MBR2X080A080
관련 링크MBR2X08, MBR2X080A080 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
MBR2X080A080 의 관련 제품
RES SMD 3.92 OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06033R92FNEB.pdf
K4H280438F-TCB0 Samsung SMD or Through Hole K4H280438F-TCB0.pdf
TMS60C80U TI DIP 28 TMS60C80U.pdf
XC3S500E-4FTG256CS XILINX BGA XC3S500E-4FTG256CS.pdf
MCIMX27MJP4A-M72J FREESCALE BGA MCIMX27MJP4A-M72J.pdf
WP90141L5 Weltrend DIP WP90141L5.pdf
CTTF0402F-10NH CntralTech NA CTTF0402F-10NH.pdf
IRGR3B60KD2P IR TO-252 IRGR3B60KD2P.pdf
LM4836MTEX/NOPB NSC TSSOP28 LM4836MTEX/NOPB.pdf
D123310 ORIGINAL SOT-223 D123310.pdf
HN2A01F TEL:82766440 TOSHIBA SOT-153 HN2A01F TEL:82766440.pdf