창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2H200SFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2H200SFT3G | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 940mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MBR2H200SFT3G-ND MBR2H200SFT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2H200SFT3G | |
| 관련 링크 | MBR2H20, MBR2H200SFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 501S42E1R6BV4E | 1.6pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 501S42E1R6BV4E.pdf | |
![]() | NKN-50JR-52-0R82 | RES 0.82 OHM 1/2W 5% AXIAL | NKN-50JR-52-0R82.pdf | |
![]() | S29AL008J70TFN02 | S29AL008J70TFN02 Spansion TSOP48 | S29AL008J70TFN02.pdf | |
![]() | TA4011FU(U3) | TA4011FU(U3) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA4011FU(U3).pdf | |
![]() | X25160-F | X25160-F XICOR SMD or Through Hole | X25160-F.pdf | |
![]() | FCO-736B85.761-3.3V | FCO-736B85.761-3.3V CRYSTAL 57MM | FCO-736B85.761-3.3V.pdf | |
![]() | A7105 LA7105 | A7105 LA7105 SANYO SOP-8 | A7105 LA7105.pdf | |
![]() | 74LS126M013TR | 74LS126M013TR ST SOP3.9MM | 74LS126M013TR.pdf | |
![]() | 5177984-6 | 5177984-6 TE SMD or Through Hole | 5177984-6.pdf | |
![]() | TLE2071ACDR | TLE2071ACDR TI SOP-8 | TLE2071ACDR.pdf | |
![]() | FAR-C4CB-12.288MHZ | FAR-C4CB-12.288MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | FAR-C4CB-12.288MHZ.pdf | |
![]() | 30-97958.00 | 30-97958.00 MES SMD or Through Hole | 30-97958.00.pdf |