창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2H100SFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2H100SFT3G | |
| PCN 설계/사양 | SOD123-FL Package Height 13/Sep/2013 Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 40µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MBR2H100SFT3G-ND MBR2H100SFT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2H100SFT3G | |
| 관련 링크 | MBR2H10, MBR2H100SFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | FA18C0G2A181JNU06 | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18C0G2A181JNU06.pdf | |
|  | VJ1808A910KBRAT4X | 91pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A910KBRAT4X.pdf | |
|  | UPT48RE3/TR7 | TVS DIODE 48VWM POWERMITE | UPT48RE3/TR7.pdf | |
|  | TACR156K004XTA | TACR156K004XTA AVX SMD | TACR156K004XTA.pdf | |
|  | CA3140AT/T | CA3140AT/T HAR DIP | CA3140AT/T.pdf | |
|  | 046287057000868+ | 046287057000868+ ORIGINAL PCS | 046287057000868+.pdf | |
|  | BT37F | BT37F ORIGINAL SMD or Through Hole | BT37F.pdf | |
|  | SPT7824A1J | SPT7824A1J SPT DIP | SPT7824A1J.pdf | |
|  | BAS28E6327XT | BAS28E6327XT INFINEONTECH SMD DIP | BAS28E6327XT.pdf | |
|  | 5421/BEAJC | 5421/BEAJC TI CDIP | 5421/BEAJC.pdf | |
|  | MM74C163N(CD40163BCN) | MM74C163N(CD40163BCN) NS DIP-16P | MM74C163N(CD40163BCN).pdf | |
|  | SIS6510A | SIS6510A SIS BGA | SIS6510A.pdf |