창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR20080CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR20080CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR20080CTR | |
관련 링크 | MBR200, MBR20080CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
S10K17 | VARISTOR 27V 500A DISC 10MM | S10K17.pdf | ||
Radeon7500-16 | Radeon7500-16 ATI BGA | Radeon7500-16.pdf | ||
C5750JB1E156MT | C5750JB1E156MT ORIGINAL SMD or Through Hole | C5750JB1E156MT.pdf | ||
EMIF02-SPK02F2-ST | EMIF02-SPK02F2-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | EMIF02-SPK02F2-ST.pdf | ||
DF7058BKNF80KNV | DF7058BKNF80KNV RENESAS MQFP256 | DF7058BKNF80KNV.pdf | ||
54S133 | 54S133 TI DIP | 54S133.pdf | ||
XTR116UK | XTR116UK TI/BB SOP8 | XTR116UK.pdf | ||
SAS250-24-L | SAS250-24-L SUCCEED 160 110 30(mm) | SAS250-24-L.pdf | ||
MIC842HYC5 TEL:82766440 | MIC842HYC5 TEL:82766440 MICREL SMD or Through Hole | MIC842HYC5 TEL:82766440.pdf | ||
R3968FC24L | R3968FC24L Westcode SMD or Through Hole | R3968FC24L.pdf | ||
CR1206J473T1LF | CR1206J473T1LF CHIPTECH SMD or Through Hole | CR1206J473T1LF.pdf | ||
SI11930CTU | SI11930CTU SICN QFP | SI11930CTU.pdf |