창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20080CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20080CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20080CTR | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20080CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 30LVSS10BL-R | 10000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.720" Dia(18.30mm) | 30LVSS10BL-R.pdf | |
![]() | LQG15HN15NJ02D | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 460 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HN15NJ02D.pdf | |
![]() | MCR18EZHF37R4 | RES SMD 37.4 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF37R4.pdf | |
![]() | RCS0805680KJNEA | RES SMD 680K OHM 5% 0.4W 0805 | RCS0805680KJNEA.pdf | |
![]() | EPR1512S | EPR1512S PCA SMD or Through Hole | EPR1512S.pdf | |
![]() | IE0324S | IE0324S XP SIP-4 | IE0324S.pdf | |
![]() | MRF427A | MRF427A MOTOROLA TO-55r | MRF427A.pdf | |
![]() | TEA5582/NI | TEA5582/NI Philip IC SOP | TEA5582/NI.pdf | |
![]() | UC2856 | UC2856 UC DIP16 | UC2856.pdf | |
![]() | HA6264P1C2 | HA6264P1C2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HA6264P1C2.pdf | |
![]() | RK73B1JTDD104J | RK73B1JTDD104J KOA SMD or Through Hole | RK73B1JTDD104J.pdf | |
![]() | PDG128B | PDG128B PIONEER QFP-100P | PDG128B.pdf |