창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20045CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20045CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20045CTR | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20045CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UPW1V151MPD1TA | 150µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPW1V151MPD1TA.pdf | ||
![]() | SIT8008AI-72-XXS-16.000000D | OSC XO 16MHZ ST | SIT8008AI-72-XXS-16.000000D.pdf | |
![]() | H4P220KDCA | RES 220K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P220KDCA.pdf | |
![]() | 100uf 20V D | 100uf 20V D avetron D | 100uf 20V D.pdf | |
![]() | IRF644S | IRF644S IR D2PAKTO-263 | IRF644S .pdf | |
![]() | D65006C105 | D65006C105 NEC DIP-48P | D65006C105.pdf | |
![]() | ADSP21065L-KS240 | ADSP21065L-KS240 DALLAS QFP | ADSP21065L-KS240.pdf | |
![]() | BMR910 212/37 | BMR910 212/37 ERICSSON SMD or Through Hole | BMR910 212/37.pdf | |
![]() | 2512 1% 0.012R | 2512 1% 0.012R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2512 1% 0.012R.pdf | |
![]() | 4-1672273-1 | 4-1672273-1 TECONNECTIVITYEO SMD or Through Hole | 4-1672273-1.pdf | |
![]() | D78214CW-G09 | D78214CW-G09 IR DIP | D78214CW-G09.pdf |