창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20045CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20045CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20045CTR | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20045CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DF02ST-G | RECTIFIER BRIDGE 1.0A 200V DFS | DF02ST-G.pdf | |
![]() | RG3216P-8661-B-T5 | RES SMD 8.66K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-8661-B-T5.pdf | |
![]() | P51-3000-S-Y-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-Y-MD-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | PZTA56/A56 | PZTA56/A56 FAIR SMD or Through Hole | PZTA56/A56.pdf | |
![]() | MK1437-02S | MK1437-02S MICROCLOCK SOP | MK1437-02S.pdf | |
![]() | 1A50257340-001 | 1A50257340-001 IOR BGA | 1A50257340-001.pdf | |
![]() | PRN11016 33R2FAP | PRN11016 33R2FAP CMD SMD | PRN11016 33R2FAP.pdf | |
![]() | MSAC | MSAC ORIGINAL TSOP8 | MSAC.pdf | |
![]() | PLFC1035P-180A | PLFC1035P-180A NEC SMD or Through Hole | PLFC1035P-180A.pdf | |
![]() | TLS2322ZRNRG1 | TLS2322ZRNRG1 TI BGA | TLS2322ZRNRG1.pdf | |
![]() | C3709Y-7L | C3709Y-7L TOSHIBA TO220 | C3709Y-7L.pdf |