창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR20040CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR20020CT thru MBR20040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR20040CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR20040CTR | |
관련 링크 | MBR200, MBR20040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
RVA0G151MNG | 150µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | RVA0G151MNG.pdf | ||
![]() | 12101U180JAT2A | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U180JAT2A.pdf | |
![]() | GRM0335C1H3R9CD01J | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H3R9CD01J.pdf | |
![]() | 2450DP15D5400E | RF Diplexor 2.4GHz ~ 2.5GHz / 4.9GHz ~ 5.9GHz 0805 (2012 Metric) | 2450DP15D5400E.pdf | |
![]() | TFPT0805L5600FM | PTC Thermistor 560 Ohm 0805 (2012 Metric) | TFPT0805L5600FM.pdf | |
![]() | 2SJ501-TB | 2SJ501-TB SANYO SOT-23 | 2SJ501-TB.pdf | |
![]() | MU3261-152Y | MU3261-152Y BOURNS SMD | MU3261-152Y.pdf | |
![]() | 48-400086-03 | 48-400086-03 LONGFEI SMD | 48-400086-03.pdf | |
![]() | 36DY332F250BF2A | 36DY332F250BF2A VISHAY DIP | 36DY332F250BF2A.pdf | |
![]() | M4256BWG | M4256BWG STM SOP-8 | M4256BWG.pdf | |
![]() | 25MXC10000M25X30 | 25MXC10000M25X30 RUBYCON SMD or Through Hole | 25MXC10000M25X30.pdf | |
![]() | CPH6102-TL | CPH6102-TL SANYO SOT-163 | CPH6102-TL.pdf |